专利情况
申请中国发明专利108项，其中授权82项。
部分授权专利：
1. 翟继卫，张景基，“介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法”，专利号：ZL200910046268.8，授权公告日：2011年11月16日，证书号：864298
2. 翟继卫，莫伟锋，张玲，“铁酸钴磁性厚膜的制备方法”，专利号：ZL200910046943.7，授权公告日：2011年11月16日，证书号：864998
3. 翟继卫，张景基，莫伟锋，丁西亚，“介电可调的Ba1-xSrxTiO3- MgAI2O3两相复合微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL200810036353.1, 授权公告日：2012年1月25日，证书号：900444
4. 翟继卫，张景基，张明伟，“一种高Q电可调Ba1-xSrxTi1-yMnyO3陶瓷介质材料及其制备”，专利号：ZL200910046634.X, 授权公告日：2012年7月4日，证书号：994344
5. 翟继卫，姜海涛，“介电可调的两相复合微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL200910046587.9, 授权公告日：2012年7月4日，证书号：996611
6. 翟继卫，汪昌州， “一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料”，专利号：ZL201010117894.4, 授权公告日：2012年7月25日，证书号：1011090
7. 翟继卫，周歧刚，“一种钛锡酸锶薄膜的用途”，专利号：ZL201010110227.3, 授权公告日：2012年7月25日，证书号：1014166
8. 翟继卫，郝喜红，“一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法”，专利号：ZL200910051917.3, 授权公告日：2012年7月25日，证书号：1014653
9. 翟继卫，姜海涛，沈波，“低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL200910046588.3, 授权公告日：2012年8月22日，证书号：1026715
10. 翟继卫，付芳，丁西亚，“一种无铅压电织构厚膜及其制备方法”，专利号：ZL200910046632.0, 授权公告日：2012年8月22日，证书号：1028278
11. 翟继卫，张明伟，张景基，“介电可调的钛酸锶钡基复合钨酸盐微波介质材料及其制备”，专利号：ZL200910195365.3, 授权公告日：2012年8月22日，证书号：1027304
12. 翟继卫， 张明伟，沈波，“介电可调的钛酸锶钡基复合硅酸盐微波介质材料及其制备”，专利号：ZL201010501164.4, 授权公告日：2012年12月05日，证书号：1092220
13. 沈波，翟继卫，方小磊，周歧刚，“一种钛酸铋钠基铁电薄膜的制备方法”，专利号：ZL201010125584.7, 授权公告日：2012年12月05日，证书号：1092360
14. 翟继卫，张明伟，“介电可调的过渡金属元素化合物掺杂钛酸锶钡复合钨酸钡陶瓷介质材料及其制备方法”，专利号：ZL201010206295.X, 授权公告日：2013年2月13日，证书号：1137149
15. 翟继卫，尚飞，沈波，“一种制备Ge纳米管的方法”，专利号：ZL201110202585.1, 授权公告日：2013年3月13日，证书号：1151886
16. 翟继卫，“工作温区可调且热释电系数较大的反铁电薄膜及其制备”，专利号：ZL200910160387.6，授权公告日：2013年04月17日，证书号：1179798
17. 翟继卫，叶成根，白王峰，沈波，“一种织构化的(1-x-y)BNT-xBKT-yKNN陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL201110317092. 2, 授权公告日：2013年05月01日，证书号：1188142
18. 翟继卫，尚飞，沈波，“一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法”，专利号：ZL201110202239.3, 授权公告日：2013年06月05日，证书号：1208031。
19. 翟继卫，郝继功，“一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷材料的制备方法”，专利号：ZL201110227548.6, 授权公告日：2013年07月17日，证书号：1236085
20. 翟继卫，周歧刚，“一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法”，专利号：ZL201010179696.0, 授权公告日：2013年07月17日，证书号：1236173
21. 翟继卫，付芳，“一种过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚膜及其制备方法”，专利号：ZL201010258099.7, 授权公告日：2013年07月17日，证书号：1236542
22. 翟继卫，尚飞，沈波，“一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法”，专利号：ZL201110202610.6, 授权公告日：2013年07月17日，证书号：1236798
23. 翟继卫，尚飞，“一种降低相变存储器单元操作功耗的方法”，专利号：ZL201010022441.3, 授权公告日：2013年08月14日，证书号：1254785
24. 翟继卫，张奇伟，“一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL201110183011.4, 授权公告日：2013年10月30日，证书号：1293540
25. 翟继卫，徐超，沈波，“一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法”，专利号：ZL201110418864.1, 授权公告日：2014年01月29日，证书号：1339804
26. 边延龙，汪金文，翟继卫，王辉，“一种以MgO为缓冲层的钛酸锶钡薄膜的制备方法”，专利号：ZL201210303607.8, 授权公告日：2014年04月02日，证书号：1373767
27. 翟继卫，郝继功，沈波，“一种无铅电致伸缩陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL201210251531.9，授权公告日：2014年04月02日，证书号：1374065
28. 翟继卫，唐林江，沈波，“一种介电可调的低温共烧陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL201210115855.X，授权公告日：2014年04月02日，证书号：1374079
29. 翟继卫，付芳，沈波，“一种KNN基压电织构厚膜的制备方法”，专利号：ZL201110153079.8，授权公告日：2014年04月16日，证书号：1383986
30. 沈波，孙明成，翟继卫，“一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料”, 专利号：ZL201210158661.8, 授权公告日：2014年04月16日, 证书号：1384046
31. 翟继卫，张景基，沈波，“一种水热法原位复合制备介电调谐复相微波陶瓷材料的方法”，专利号：ZL201210391025.X，授权公告日：2014年05月21日，证书号：1406924
32. 翟继卫，尚飞，“一种降低相变存储器单元操作功耗的方法”，专利号：ZL201010022442.8, 授权公告日：2014年05月21日，证书号：1407193
33. 翟继卫，白王峰，沈波，“一种钡钙锆钛无铅压电织构厚膜及其制备方法”，专利号：ZL201210002197.3，授权公告日：2014年06月25日，证书号：1427867
34. 翟继卫，白王峰，沈波，“一种无铅压电织构陶瓷材料及其制备方法,专利号：ZL201210246272.0，授权公告日：2014年09月17日，证书号：1484062
35. 翟继卫，胡益丰，孙明成，“一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用”，专利号：ZL201210302541.0，授权公告日：2014年09月17日，证书号：1483984
36. 翟继卫，胡益丰，孙明成，“一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL201210337309.0，授权公告日：2014年11月05日，证书号：151009
37. 翟继卫，刘少辉，汪金文，沈波，“一种低温合成超薄微米片状钛酸锶钡晶体的方法”，专利号：ZL 2013 1 0320618.1，授权公告日：2015年02月18日。
38. 沈波，汪金文，翟继卫，“一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法”，专利号：ZL 2012 1 0254299. 4，授权公告日：2015年02月18日。
39. 翟继卫，胡益丰，“一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法”，专利号：ZL 2012 1 0560124. 6，授权公告日：2015年10月28日。
40. 沈波，汪金文，翟继卫，“高储能密度的钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及制备和应用”，专利号：ZL 2013 1 0185574.6，授权公告日：2015年07月29日。
41. 翟继卫，刘少辉，汪金文，沈波，“一种合成钛酸锶钡纳米管的方法”，专利号：ZL 2013 1 0461398.4，授权公告日：2015年07月29日。
42. 沈波，王巍，唐林江，翟继卫，“一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法”，专利号：ZL 2014 1 0049177.0，授权公告日：2015年07月29日。
43. 沈波，李玲玉，白王峰，翟继卫，“一种合成大长径比片状铌酸钠粉体的方法”，专利号：ZL 2014 1 0244828.1，授权公告日：2016年02月17日。
44. 翟继卫，李伟，“钛酸铋纳基和钛酸钡基多层复合压电薄膜及其制备方法”，专利号：ZL 2014 1 0245430.X，授权公告日：2016年03月30日。
45. 翟继卫，冯潇依，胡益丰，“多态镓锑-硒化锡多层纳米复合相变材料及其制备和应用”，专利号：ZL 2014 1 0010291.2，授权公告日：2016年8月24日。
46. 翟继卫，刘少辉，安振连，沈波，“一种均匀氟化钛酸锶钡的方法”，专利号：ZL 2014 1 0705883.6，授权公告日：2016年8月17日。
47. 翟继卫，白王峰，沈波，李玲玉，“高度取向的无铅压电织构陶瓷材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2013 1 0545289.0，授权公告日：2017年11月07日。
48. 翟继卫，何子芳，刘瑞蕊，“一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2015 1 0430392.X，授权公告日：2017年08月25日。
49. 翟继卫，张扬，沈波，“高压电系数铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法”，专利号：ZL 201510210565.7，授权公告日：2017年03月08日。
50. 翟继卫，薛双喜，沈波，“一种新型铌酸盐基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL201510904031.4，授权公告日：2018年03月02日。
51. 沈波，李玲玉，张杨，翟继卫，“一种高电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法与应用”，专利号：ZL 2015 1 0530831.4，授权公告日：2018年06月26日。
52. 翟继卫，吴卫华，何子芳，陈施谕，“一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用”，专利号：ZL 2016 1 0133153.2，授权公告日：2018年07月03日。
53. 翟继卫，刘瑞蕊，沈波，何子芳，“多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2015 1 0413910.7，授权公告日：2018年06月26日。
54. 翟继卫，张杨，沈波，李玲玉，刘百慧，“一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法”，专利号：ZL 2016 1 0134235.9，授权公告日：2018年06月26日。
55. 王海涛，翟继卫，刘金花，沈波，“高储能密度的铌酸锶钠基玻璃陶瓷储能材料及制备与应用”，专利号：ZL 2016 1 0006156.X，授权公告日：2018年07月24日。
56. 翟继卫，吴卫华，陈施瑜，“一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2017 1 0029756. 2，授权公告日，2019年04月02日。
57. 翟继卫，吴卫华，陈施瑜，“一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2016 1 0625855.2，授权公告日，2019年04月16日。
58. 刘金花，翟继卫，王海涛，沈波，“一种钛酸铌酸复合玻璃陶瓷及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2016 1 0077266.5，授权公告日，2019年04月16日。
59. 王海涛，翟继卫，刘金花，沈波，“一种铌酸锶钡钾基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法与应用”，专利号：ZL 2016 1 0578443.8，授权公告日：2019年06月11日。
60. 翟继卫，吴卫华，“高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用”，专利号：ZL 2017 1 0422075.2，授权公告日：2019年10月01日。
61. 沈波，李朋，翟继卫，刘百慧，“具有超高压电响应的无铅压电陶瓷材料及制备方法”，专利号：ZL 2017 1 0418225.2，授权公告日：2020年07月07日。
62. 翟继卫，李峰，刘星，李朋，沈波，“室温高电卡效应的无铅弛豫铁电陶瓷的制备方法”，专利号：ZL 2017 1 0177407.5，授权公告日：2020年08月14日。
63. 翟继卫，李峰，刘星，李朋，沈波，“准同型相界的钛酸铋钾基无铅弛豫铁电陶瓷的制备方法”，专利号：ZL 2017 1 0875559.2，授权公告日：2020年08月18日。
64. 翟继卫，陈施瑜，“锌铋碲异质相变纳米线材料及其制备方法与应用”，专利号：ZL 2017 1 0422094.5，授权公告日：2020年11月27日。
65. 翟继卫，李峰，沈波，“高储能密度及充放电性能的无铅陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2018 1 0184288.0，授权公告日：2021年03月26日。
66. 翟继卫，王书建，沈波，“高储能密度的铌酸钡铅钠基玻璃陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2018 1 0366442.6，授权公告日：2021年03月26日。
67. 翟继卫，闫非，沈波，“一种铋基三明治结构的高储能密度陶瓷及其制备方法”，专利号：ZL 2020 1 0037452.2，授权公告日：2021年05月11日。
68. 翟继卫，葛广龙，黄凯威，沈波，“一种具有优异充放电性能的反铁电陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2020 1 0065883.X，授权公告日：2021年05月11日。
69. 翟继卫，田佳，沈波，“高储能密度的铌酸铋基玻璃陶瓷材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL 2018 1 0437270.7，授权公告日：2021年07月20日。
70. 沈波，杨伟伟，翟继卫，“一种合成尺寸均匀、分散性好的片状铌酸钠粉体的方法”，专利号：ZL 2019 1 0008848.1，授权公告日：2021年10月08日。
71. 翟继卫，葛广龙，黄凯威，沈波，“一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法”，专利号：ZL 2020 1 0798427.6，授权公告日：2021年10月08日。
72. 沈波，白海瑞，翟继卫，“一种二维复合三明治结构介电储能材料及制备方法与应用”，专利号：ZL 2020 1 1057016.8，授权公告日：2021年10月08日。
73. 翟继卫，史云晶，沈波，“低极化场强产生高压电铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷及制备”，专利号：ZL 2019 1 0899608.5，授权公告日：2021年10月08日。
74. 翟继卫，谢书峰，沈波，“一种具有低介电损耗的Ta2O5掺杂铌酸盐基玻璃陶瓷材料及其制备方法与应用”，专利号：ZL 2020 1 1294728.1，授权公告日：2021年12月31日。
75. 沈波，李国辉，翟继卫，“一种电卡性能测试系统”，专利号：ZL 2020 1 0560974.0，授权公告日：2022年02月18日。
76. 沈波，朱坤，翟继卫，“一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法”，专利号：ZL 2021 1 0631050.X，授权公告日：2022年06月21日。
77. 翟继卫，林锦锋，“具备高压电响应及高居里温度的铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法”，专利号：ZL 2021 1 1009891.3，授权公告日：2022年07月05日。
78. 翟继卫，周小风，“一种机械催化合成H2O2的方法”，专利号：ZL 2021 1 0240174.5，授权公告日：2022年10月25日。
79. 翟继卫，林锦锋，“具有宽温区高压电性能的铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2021 1 1009907.0，授权公告日：2023年02月10日。
80. 翟继卫，杨静，葛广龙，陈楚凯，“一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度的制备方法”，专利号：ZL 2021 1 1340472.8，授权公告日：2023年07月04日。
81. 沈波，葛广龙，杨静，翟继卫，“一种可低温共烧的高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用”，专利号：ZL 202110788455.4，授权公告日：2023年08月04日。
82. 翟继卫，钱进，沈波，“一种高储能特性的钛酸铋钠-锆钛酸钡电介质薄膜及其制备方法与应用”，专利号：ZL 202210503618.4，授权公告日：2023年08月29日。
